Методом рентгеновской дифракции и фотолюминесценции показано, что использование тонкого промежуточного рекристаллизованного слоя ZnTe между буферным слоем ZnTe, полученным методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и подложкой GaAs, а также увеличение толщины эпитаксиального слоя приводят к улучшению структуры (увеличению размеров мозаики) и росту интенсивности полос в экситонной области спектра. Установлено, что ряд характеристик полос I₁^C, а также обнаруженной в образцах с квантовыми ямами и сверхрешетками полосы с hnu~ 2.361 эВ отличаются от соответствующих характеристик линий излучения свободных и связанных экситонов и типичны для полос дислокационного излучения в монокристаллах A^IIB^VI. Предполагается, что полоса I₁^C связана с границами субблоков, составляющих мозаичную структуру эпитаксиальных слоев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.