Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Представлен новый сублимационный метод очистки веществ в вакууме, основанный на фазовом превращении кристалл-пар-кристалл. Приведена принципиальная конструкция ростового реактора и основные параметры глубокой очистки соединения CdTe. С помощью низкотемпературной фотолюминесценции показана динамика очистки, характеризующаяся полным распадом различных комплексов и резким уменьшением концентрации как мелких, так и глубоких остаточных примесей. На финишном этапе очистки получен поликристаллический CdTe состава, близкого к стехиометрическому, в спектре фотолюминесценции которого полностью отсутствует примесное излучение и остается только экситонная часть. Экспериментально подтверждена необходимость глубокой очистки исходных компонент. Аналогичные результаты получены для ZnTe и ZnSe.
- S. Medvedieff. US Patent No. 5201985 (13.04.1993)
- S. Medvedieff, Yu. Klevkov. Application No. PCT/RU96/00176
- Y. Marfaing. Progr. Cryst. Growth Charact., 4 , 317 (1981)
- A.V. Kvit, Yu.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin. Semicond. Sci. Technol., 9, 1805 (1994)
- A.V. Kvit, Yu.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, A.V. Tsikunov, B.G. Zhurkin. Mater. Sci. Eng. B, 26, 1 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
