Динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки при импульсном всестороннем гидростатическом давлении
Маматкаримов О.О.1, Зайнабидинов С.З.1, Абдураимов А.1, Хамидов Р.Х.1, Туйчиев У.А.1
1Ташкентский государственный университет им. М. Улугбека, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 22 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Исследованы динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки типа Au-Si< Ni>-Sb при воздействии импульсного всестороннего гидростатического давления в диапазоне P=(0-5)· 108 Па, при температуре T=300 K. Исследования вольт-амперных характеристик диодов показали, что благодаря проявлению дополнительного температурного эффекта, стимулированного импульсным давлением, динамические параметры тензоэффекта в них на 20-30% возрастают по сравнению с их статическими параметрами.
- А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Наука, 1979). с. 168
- М.К. Бахадырханов, С.З. Зайнабидинов. Изв. АН УзССР, 6, 73 (1976)
- О.О. Маматкаримов. Автореф. канд. дис. РУз (Ташкент, 1993)
- А. Абдураимов, С.З. Зайнабидинов, О.О. Маматкаримов, О. Химматкулов, Т.Э. Худайбергенов. ПТЭ, N 5, 229 (1992)
- А. Абдураимов, С.З. Зайнабидинов, О.О. Маматкаримов, И.Г. Турсунов, О. Химматкулов. ФТП, 27, 516 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук