Исследованы динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки типа Au-Si< Ni>-Sb при воздействии импульсного всестороннего гидростатического давления в диапазоне P=(0-5)· 10⁸ Па, при температуре T=300 K. Исследования вольт-амперных характеристик диодов показали, что благодаря проявлению дополнительного температурного эффекта, стимулированного импульсным давлением, динамические параметры тензоэффекта в них на 20-30% возрастают по сравнению с их статическими параметрами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.