Пленки твердых растворов GaN<O> с различным содержанием кислорода получены химическим осаждением из газовой фазы путем пиролитического разложения моноаммиаката хлорида галлия в присутствии паров воды на подложках из кристаллического кварца и кремния. Исследованы структура и оптические свойства пленок. Установлено, что при увеличении содержания кислорода в слое ширина запрещенной зоны при 300 K увеличивается от 3.4 до 3.9 эВ. Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов Si/GaN<O>. В диапазоне температур 80/290 K все гетеропереходы являются фоточувствительными, величина фотоответа и спектральная характеристика зависят от содержания кислорода в пленке GaN<O>. Обсуждены особенности строения металлургической границы гетероперехода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.