Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 3 » Статья стр. 325
<<<>>>
Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур
Вавилова Л.С.1, Капитонов В.А.1, Лившиц Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Скрынников Г.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
PDF версия
Методами фото- и электролюминесценции исследованы спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры, представляющие собой чередующиеся домены двух твердых растворов с различным составом и разными постоянными решеток. Экспериментально установлено, что объем доменов узкозонного твердого раствора меньше объема доменов широкозонного материала. В структурах присутствуют неупругие деформации, вызванные сильным рассогласованием решеток двух соседних доменов (2/ 3%). В лазерных диодах, изготовленных с использованием спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур в активной области, получена лазерная генерация в длинноволновой полосе электролюминесцентного спектра, соответствующей излучательной рекомбинации в доменах узкозонного твердого раствора. В лучших образцах генерация наблюдалась при пороговых плотностях токов 70 А/см2 при 77 K и 700 А/см2 при 300 K.
  1. I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, I.P. Ipatova, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, V.A. Shchukin, Zh.I. Alferov. 23th Int. Symp. Compound Semiconductors, ISCS-23 [St. Petersburg, 1996] (1997) p. 117
  2. Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32 (6), 658 (1998)
  3. J.W. Cahn. Trans. Met. Soc., 242, 166 (1967)
  4. B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5-19 (1982)
  5. K. Onabe. Japan. J. Appl. Phys., 21, L323 (1982)
  6. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 58, 194 (1982)
  7. A.G. Khachaturyan. Theory of structural transformations in solids (John Wiley and Sons, N. Y., 1983)
  8. И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1993)
  9. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag., 70, 557 (1994)
  10. Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. УФН, 167 (3), 552 (1997)
  11. A. Zunger, S. Mahajan. In: Handbook on semiconductors, ed. by T.S. Moss (Elsevier, 1994) v. 3, p. 1399
  12. S. Mukai. J. Appl. Phys., 54 (5), 2635 (1983)
  13. A. Behres, M. Heuken, C. Mendorf, H. Lakner, E. Kubalek, K. Heime. EW MOVPE VII (Berlin, 1997) A13
  14. C. Mendorf, G. Brockt, Q. Liu, F. Schulze, E. Kubalek, I. Rechenberg, A. Knauer, A. Behres, M. Heuken, K. Heime, H. Lakner. Microsc. Semicond. Mater. Conf. Ser., N 157 (Oxord, 1997) p. 25
  15. Н.А. Берт, Л.С. Вавилова, И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. ФТП, 33 (5), 544 (1999). [Semiconductors, 33 (5), 510 (1999)]
  16. A.A. Sitnikova, N.A. Bert, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Int. Symp. Electron. Microscopy ICEM 14 (Cancun, Mexico, 1998) p. 199
  17. Н.А. Берт, А.Т. Гореленок, А.Г. Дзигасов, С.Г. Конников, В.Н. Мдивани, И.С. Тарасов, А.С. Усиков. ФТП, 16 (1), 60 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme