Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур
Вавилова Л.С.1, Капитонов В.А.1, Лившиц Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Скрынников Г.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Методами фото- и электролюминесценции исследованы спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры, представляющие собой чередующиеся домены двух твердых растворов с различным составом и разными постоянными решеток. Экспериментально установлено, что объем доменов узкозонного твердого раствора меньше объема доменов широкозонного материала. В структурах присутствуют неупругие деформации, вызванные сильным рассогласованием решеток двух соседних доменов (2/ 3%). В лазерных диодах, изготовленных с использованием спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур в активной области, получена лазерная генерация в длинноволновой полосе электролюминесцентного спектра, соответствующей излучательной рекомбинации в доменах узкозонного твердого раствора. В лучших образцах генерация наблюдалась при пороговых плотностях токов 70 А/см2 при 77 K и 700 А/см2 при 300 K.
- I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, I.P. Ipatova, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, V.A. Shchukin, Zh.I. Alferov. 23th Int. Symp. Compound Semiconductors, ISCS-23 [St. Petersburg, 1996] (1997) p. 117
- Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32 (6), 658 (1998)
- J.W. Cahn. Trans. Met. Soc., 242, 166 (1967)
- B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5-19 (1982)
- K. Onabe. Japan. J. Appl. Phys., 21, L323 (1982)
- G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 58, 194 (1982)
- A.G. Khachaturyan. Theory of structural transformations in solids (John Wiley and Sons, N. Y., 1983)
- И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1993)
- I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag., 70, 557 (1994)
- Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. УФН, 167 (3), 552 (1997)
- A. Zunger, S. Mahajan. In: Handbook on semiconductors, ed. by T.S. Moss (Elsevier, 1994) v. 3, p. 1399
- S. Mukai. J. Appl. Phys., 54 (5), 2635 (1983)
- A. Behres, M. Heuken, C. Mendorf, H. Lakner, E. Kubalek, K. Heime. EW MOVPE VII (Berlin, 1997) A13
- C. Mendorf, G. Brockt, Q. Liu, F. Schulze, E. Kubalek, I. Rechenberg, A. Knauer, A. Behres, M. Heuken, K. Heime, H. Lakner. Microsc. Semicond. Mater. Conf. Ser., N 157 (Oxord, 1997) p. 25
- Н.А. Берт, Л.С. Вавилова, И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. ФТП, 33 (5), 544 (1999). [Semiconductors, 33 (5), 510 (1999)]
- A.A. Sitnikova, N.A. Bert, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Int. Symp. Electron. Microscopy ICEM 14 (Cancun, Mexico, 1998) p. 199
- Н.А. Берт, А.Т. Гореленок, А.Г. Дзигасов, С.Г. Конников, В.Н. Мдивани, И.С. Тарасов, А.С. Усиков. ФТП, 16 (1), 60 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
