Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности пространственного перераспределения атомов селена, имплантированных в кремний

Таскин А.А.¹, Зайцев Б.А.¹, Ободников В.И.¹, Тишковский Е.Г.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 19 января 1999 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследовано пространственное распределение атомов селена, имплантированных в кремний, после отжига в диапазоне температур 600-1200^oC. Для доз облучения, превышающих дозу аморфизации кремния, обнаружено образование пика концентрации атомов селена за областью среднего проецированного пробега. Пространственное положение максимума пика хорошо коррелирует с пространственным положением плоскости, в которой расчетная величина плотности потерь энергии ионов селена на упругие соударения (TRIM) соответствует критическому значению для аморфизации кремния. Накопление примеси в пике происходит при температурах 700^oC и выше после рекристаллизации аморфизованного слоя. Перераспределение атомов селена в глубь образцов за счет диффузии определяется температурной зависимостью растворимости селена в кремнии.

E. Sorman, W.M. Chen, A. Henry, S. Andersson, E. Janzen, B. Monemar. Phys. Rev. B, 51, 2132 (1995)
M. Thiagarajan, K. Iyakutti, E. Palaniyandi. Phys. St. Sol. ( b), 205, 553 (1998)
H.R. Vydyanath, J.S. Lorenzo, F.A. Kroger. J. Appl. Phys., 49, 5928 (1978)
E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
R.W. Jansen, O.F. Sankey. Phys. Rev. B, 33, 3994 (1985)
H. Overhof, M. Scheffer, C.M. Weinert. Phys. Rev. B, 43, 12 494 (1991)
А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 1306 (1998)
K.S. Jones, S. Prussin, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 45, 1, (1988)
J.F. Gibbons. Proc. IEEE, 60, 1962 (1972)
S. Prussin, D.I. Margolese, R.N. Tauber. J. Appl. Phys., 57, 180 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель