Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокоэффективные термоэлектрические материалы n-(Bi, Sb)₂Te₃ для температур ниже 200 K

Кутасов В.А.¹, Лукьянова Л.Н.¹, Константинов П.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 ноября 1999 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассматривается возможность использования твердого раствора Bi_2-xSb_xTe₃ n-типа в термоэлектрических охладителях при T<200 K. Показано, что в рассматриваемом материале, оптимизированном для указанной области температур, наблюдается ослабление температурной зависимости коэффициента термоэдс alpha и уменьшение теплопроводности кристаллической решетки kappa_L по сравнению с традиционным твердым раствором n-Bi₂Te_3-ySe_y. Эти факторы и высокая подвижность носителей заряда mu₀ приводят к возрастанию параметра beta~ ZT, где Z - термоэлектрическая эффективность.

M.H. Ettenberg, W.A. Jesser, F.D. Rossi. Proc. XV Int. Conf. on Thermoelectrics, (Pasadena, CA, USA, 1996) p. 52
A.I. Anukhin. Proc. XVI Int. Conf. on Thermoelectrics (Dresden, Germany, 1997) p. 159
В.А. Кутасов, М.В. Ведерников, П.П. Константинов, Ю.И. Агеев, Г.Т. Алексеева, Л.Н. Лукьянова, Ю.И. Равич, М.И. Федоров. Письма ЖТФ, 18, 542 (1992)
Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ (М., Наука, 1972)
W.M. Yim, F.D. Rossi. Sol. St. Electron., 15, 1121 (1972)
В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова. ФТТ, 26, 2501 (1984)
В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова. ФТТ, 28, 899 (1986)
В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова, П.П. Константинов. ФТТ, 41, 187 (1999)
Г.Т. Алексеева, П.П. Константинов, В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова, Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская. ФТТ, 33, 3539 (1991)
В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова. ФТТ, 29, 2966 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель