Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Туннельная спектроскопия атомов примесей в монокристаллической полупроводниковой матрице

Картавых А.В.¹, Маслова Н.С.², Панов В.И.², Раков В.В.¹, Савинов С.В.²

¹Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
²Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 28 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования атомов примесей, представляющих два важнейших класса (так называемые "мелкие" и "глубокие") в монокристаллической матрице полупроводников группы A^IIIB^V с целью определения возможностей и перспектив сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии для решения прикладных аналитических и технологических задач полупроводникового материаловедения.

G. Binning, H. Roher, C. Gerber, E. Weibel. Phys. Rev. Lett., 50, 120 (1983)
Н.С. Маслова, В.И. Панов. УФН, 157, 185 (1989)
C.S. Jiang, T. Nakayama, M. Aono. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1336 (1997)
R.S. Goldman, R.M. Feenstra, B.G. Briner, M.L. O'Steen, R.J. Hauenstein. Appl. Phys. Lett., 69, 3698 (1996)
C. Domke, Ph. Ebert, M. Heinrich, K. Urban. Phys. Rev. B, 54, 10 288 (1996)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A^IIIB^V. Справочник (М., Металлургия, 1984)
S.I. Oreshkin, V.I. Panov, S.V. Savinov, A. Depuydt, C. Van Haesendonck. Instr. Exper. Techn., 40(4), 566 (1997)
A. Depuydt, N.S. Maslova, V.I. Panov, V.V. Rakov, S.V. Savinov, C. Van Haesendonck. Appl. Phys. A, 66, S171 (1998)
О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния (М., Мир, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель