Исследованы температурные зависимости фотопроводимости легированных бором пленок a-Si : H до и после длительного освещения. Установлено, что фотопроводимость исследованных пленок в интервале температур от 200 до 300 K (средние температуры) не зависит от уровня легирования и концентрации глубоких рекомбинационных центров - оборванных связей. Для объяснения экспериментальных результатов использована модель рекомбинации, согласно которой в a-Si : H p-типа функция заполнения нейтральных оборванных связей (следовательно, и фотопроводимость) определяется параметрами состояний хвоста валентной зоны и не зависит от уровня легирования и полной концентрации оборванных связей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.