Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фоточувствительность структур на основе монокристаллов ZnSe
1Государственный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
Термообработкой в вакууме и воздушной среде получены фоточувствительные структуры на основе монокристаллов ZnSe. Исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур в естественном и линейно поляризованном излучении. Обнаружена и исследована поляризационная фоточувствительность структур на основе ZnSe в зависимости от условий их создания и геометрии фоторегистрации. Показано, что фотоплеoхроизм в этих структурах возникает при наклонном падении поляризованного излучения. Установлено, что термообработка ZnSe в воздушной среде вызывает понижение фотоплеoхроизма, что связывается с интерференционными явлениями в образующихся слоях. Сделан вывод о возможностях применения ZnSe в поляриметрических фотодетекторах коротковолнового диапазона и о новом подходе в диагностике процессов взаимодействия на поверхности ZnSe.
- M. Aveu, J.S. Prener. Physics and Chemistry of II--VI Compounds (North--Holland Publ. Co., Amsterdam, 1967)
- Физика соединений AIIBVI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
- L.A. Kolodziejski, R.G. Gunshor, N. Otsuka, P.B. Gu, Y. Hefetz, A.V. Nurmiko. Appl. Phys. Lett., 48, 1482 (1986)
- J. Misiewicz, C. Huber, D. Heiman. Japan. J. Appl. Phys., 32, 372 (1993)
- A.L. Gurskii, E.V. Lutsenko, G.P. Yablonskii, V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, J. Sollner, H. Hamadeh, M. Heuken. Cryst. Res. Technol., 31, 705 (1996)
- A. Burger, M. Roth. J. Cryst. Growth, 70, 386 (1984)
- B.L. Sharma, P.K. Purohit. Semiconductor Heterostructures (Pergamon Press, Holl., 1974)
- А.В. Симашкевич. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений AIIBVI (Кишинев, Штиинца, 1980)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
- Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
- Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
- R.M.A. Azzam, N.M. Bashara. Ellipsometry and Polarized Light (North--Holland Publ. Co., Amsterdam, 1977)
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)
- Т. Вальтер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Г.В. Шок. ФТП, 31, 806 (1997)
- А. Бердинобатов, Н. Назаров, В.М. Саркисова, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32, 642 (1998)
- V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67--68, 421 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
