Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ зарядов и поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник
Берман Л.С.1, Белякова Е.И.1, Костина Л.С.1, Kim E.D.2, Kim S.C.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Korea Electrotechnology Research Institute, South Korea
2Korea Electrotechnology Research Institute, South Korea
Поступила в редакцию: 17 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
Разработан метод определения энергетического спектра зарядов и плотностей поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник, основанный на анализе вольт-фарадных характеристик. Экспериментальная проверка метода выполнена на структурах кремний-двуокись кремния-кремний, изготовленных путем прямого сращивания как зеркально полированных гладких пластин, так и пластин с регулярным мезаскопическим рельефом на внутренней поверхности из сращиваемых пластин. На поверхностях с регулярным рельефом потность поверхностных состояний меньше, чем на поверхностях без рельефа.
- K. Mitani, U.M. Gosele. J. Electron. Mater., 21, 669 (1992)
- W.P. Waszara, G. Goetz, A. Savigla, J.B. McKitterick. J. Appl. Phys., 64, 4943 (1998)
- S. Bengston. J. Electron. Mater., 21, 841 (1992)
- M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
- J.P. Colinge. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-7, 244 (1986)
- J.P. Colinge. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-8, 410 (1987)
- T.W. Mac Elwee, I.D. Calder, R.A. Bruce, F.R. Shepherd. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-37, 1444 (1990)
- D.J. Wouters, J.P. Colinge, H.A. Maes. IEEE Transact. Electron. Dev., ED-37, 2022 (1990)
- B. Mazhari, S. Cristoloveanu, D.E. Joannou, A.L. Cavigla. IEEE Transact. Electron. Dev., ED-38, 1289 (1991)
- G. Groeseneken, H.E. Maes, N. Beltran, R.F. Keersmaeker. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 42 (1984)
- J.S. Brugler, G.A. Gespers. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-16, 297 (1969)
- J.L. Autran, F. Seigneur, C. Plossu, B. Balland. J. Appl. Phys., 74, 3932 (1993)
- E.H. Nicollian, B.R. Brews. MOS (metal--oxide--semiconductor) Physics and Technology (N.Y., 1982)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
- K. Nagai, T. Sekigava, Y. Hayashi. Sol. St. Electron., 28, 789 (1985)
- F.T. Brady, S.S. Li, D.E. Burk, W.A. Krull. Appl. Phys. Lett., 52, 886 (1988)
- K. Mitani, H. Massoud. IEICE Transact. Electron., E-75 C, 1421 (1992)
- K. Lechovec. Appl. Phys. Lett., 8, 48 (1966)
- Л.С Берман, И.В. Грехов, И.Н. Каримов, Е.В. Остроумова. ФТП, 27, 917 (1993)
- Б. Банди. Методы оптимизации (М., 1988)
- Д. Химмельблау. Анализ процессов статистическими методами (М., 1973)
- Л.С. Берман, И.В. Грехов, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Е.Д. Ким, С.Ч. Ким. Письма ЖТФ, 25 (1), 75 (1999)
- И.В. Грехов, Т.С. Аргунова, Л.С. Берман, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Т.В. Кудрявцева, Е.Д. Ким, С.Ч. Ким, Д.М. Пак. Письма ЖТФ, 22 (23), 14 (1996)
- Л.С. Берман, М.Г. Толстобров, А.Д. Ременюк. Препринт ФТИ N 974 (СПб., 1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
