Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 7 » Статья стр. 814
<<<>>>
Анализ зарядов и поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник
Берман Л.С.1, Белякова Е.И.1, Костина Л.С.1, Kim E.D.2, Kim S.C.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Korea Electrotechnology Research Institute, South Korea
Поступила в редакцию: 17 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
PDF версия
Разработан метод определения энергетического спектра зарядов и плотностей поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник, основанный на анализе вольт-фарадных характеристик. Экспериментальная проверка метода выполнена на структурах кремний-двуокись кремния-кремний, изготовленных путем прямого сращивания как зеркально полированных гладких пластин, так и пластин с регулярным мезаскопическим рельефом на внутренней поверхности из сращиваемых пластин. На поверхностях с регулярным рельефом потность поверхностных состояний меньше, чем на поверхностях без рельефа.
  1. K. Mitani, U.M. Gosele. J. Electron. Mater., 21, 669 (1992)
  2. W.P. Waszara, G. Goetz, A. Savigla, J.B. McKitterick. J. Appl. Phys., 64, 4943 (1998)
  3. S. Bengston. J. Electron. Mater., 21, 841 (1992)
  4. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  5. J.P. Colinge. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-7, 244 (1986)
  6. J.P. Colinge. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-8, 410 (1987)
  7. T.W. Mac Elwee, I.D. Calder, R.A. Bruce, F.R. Shepherd. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-37, 1444 (1990)
  8. D.J. Wouters, J.P. Colinge, H.A. Maes. IEEE Transact. Electron. Dev., ED-37, 2022 (1990)
  9. B. Mazhari, S. Cristoloveanu, D.E. Joannou, A.L. Cavigla. IEEE Transact. Electron. Dev., ED-38, 1289 (1991)
  10. G. Groeseneken, H.E. Maes, N. Beltran, R.F. Keersmaeker. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 42 (1984)
  11. J.S. Brugler, G.A. Gespers. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-16, 297 (1969)
  12. J.L. Autran, F. Seigneur, C. Plossu, B. Balland. J. Appl. Phys., 74, 3932 (1993)
  13. E.H. Nicollian, B.R. Brews. MOS (metal--oxide--semiconductor) Physics and Technology (N.Y., 1982)
  14. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
  15. K. Nagai, T. Sekigava, Y. Hayashi. Sol. St. Electron., 28, 789 (1985)
  16. F.T. Brady, S.S. Li, D.E. Burk, W.A. Krull. Appl. Phys. Lett., 52, 886 (1988)
  17. K. Mitani, H. Massoud. IEICE Transact. Electron., E-75 C, 1421 (1992)
  18. K. Lechovec. Appl. Phys. Lett., 8, 48 (1966)
  19. Л.С Берман, И.В. Грехов, И.Н. Каримов, Е.В. Остроумова. ФТП, 27, 917 (1993)
  20. Б. Банди. Методы оптимизации (М., 1988)
  21. Д. Химмельблау. Анализ процессов статистическими методами (М., 1973)
  22. Л.С. Берман, И.В. Грехов, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Е.Д. Ким, С.Ч. Ким. Письма ЖТФ, 25 (1), 75 (1999)
  23. И.В. Грехов, Т.С. Аргунова, Л.С. Берман, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Т.В. Кудрявцева, Е.Д. Ким, С.Ч. Ким, Д.М. Пак. Письма ЖТФ, 22 (23), 14 (1996)
  24. Л.С. Берман, М.Г. Толстобров, А.Д. Ременюк. Препринт ФТИ N 974 (СПб., 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme