Вышедшие номера
Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe
Васильев В.В.1, Есаев Д.Г.1, Кравченко А.Ф.1, Осадчий В.М.1, Сусляков А.О.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Проведены расчеты в рамках одномерной диффузионно-дрейфовой модели характеристик фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe с варизонными слоями. Показано, что параметры диодов можно улучшить, если p-n-переход помещать не в центральную гомогенную часть структуры, а в проповерхностную варизонную область. Установлено, что диоды с n-слоем, прилежащим к подложке, имеют преимущество перед диодами с p-слоем у подложки при освещении со стороны подложки.