Получено точное аналитическое решение задачи о распределении электрического поля в плоском конденсаторе с бесконечно длинной щелью, тонкими электродами и неоднородным поверхностным зарядом на границе диэлектрика, заполняющего конденсатор. Такой конденсатор является хорошей моделью p-i-n-диода с мелкими планарными переходами, стоп-кольцом и слабо легированным охранным кольцом. Показано, что охранное кольцо с изменяющейся вдоль границы раздела полупроводник-вакуум поверхностной плотностью заряда Q_s в принципе позволяет уменьшить максимальное значение краевого поля до объемного значения E₀. Для этого необходимо, чтобы: а) ширина охранного кольца была по крайней мере в 3 раза больше толщины обедненной области d; b) величина Q_s была равна -E₀varepsilon₀(varepsilon+1/2) во внутренней области охранного кольца и плавно увеличивалась до E₀varepsilon₀(varepsilon+3/2) (при наличии стоп кольца) или до 0 (при его отсутствии) в полосе шириной не менее d, расположенной на внешней границе охранного кольца. Результаты расчетов применимы также для оптимизации профиля легирования диодов, изготовленных по технологии "кремний-на-изоляторе".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.