Энергия ионизации меди в кристаллах Hg0.8Cd0.2Te при слабом и промежуточном легировании
Богобоящий В.В.1
1Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
Поступила в редакцию: 9 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
Исследовано удельное сопротивление и эффект Холла в легированных медью кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te в интервалах температур 4.2-125 K и концентраций Cu от 2.6·1015 до 2·1018 см-3. Показано, что традиционный метод определения энергии ионизации примесей по углу наклона зависимости RH(T) в данном случае неприменим. Для получения корректных результатов необходимо учитывать строение примесной зоны и экранирование заряда примеси свободными носителями тока. Предложена упрощенная модель структуры примесной зоны, позволяющая рассчитать энергию ионизации акцепторов при слабом легировании и слабой компенсации. В рамках такого подхода найдено, что энергия ионизации меди при T=0 слабо зависит от ее концентрации и для изолированного акцептора равна EA=7.6 мэВ, что совпадает с теоретическим значением. При конечных температурах энергия ионизации акцепторов заметно уменьшается в результате экранирования.
- Н. Мотт, Е. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- И.М. Цидильковский, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках (Свердловск, 1987)
- M.C. Chen, J.H. Tregilgas. J.Appl. Phys., 61 (2), 787 (1987)
- В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафеев, В.Н. Северцев. ФТП, 21 (8), 1469 (1987)
- V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
- А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 24 (3), 446 (1990)
- N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1, 1 (1968)
- J.R. Mayer, F.J. Bartoli, C.A. Hoffman. J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (5), 3035 (1987)
- M.A. Berding, S. Krishnamurthy, A. Sher, A.-B. Chen. J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (5), 3014 (1987)
- И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос, И.Я. Янчев. ФТП, 11, (2), 257 (1977)
- А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15 (5), 927 (1981)
- А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 18 (3), 455 (1984)
- Б.Л. Гельмонт, А.Р. Гаджиев, Б.Л. Шкловский, И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос. ФТП, 8 (12), 2377 (1974)
- Б.Л. Гельмонт, М.С. Дьяконов. ФТП, 5 (11), 2191 (1971)
- А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой квантовой фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984) с. 126
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук