Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нелинейное оптическое поглощение в сильно легированном вырожденном n-GaAs

Малевич В.Л.¹, Уткин И.А.¹

¹Отдел оптических проблем информатики Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия

Поступила в редакцию: 13 января 2000 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано нелинейное поглощение света в сильно легированном вырожденном n-GaAs в спектральной области вблизи края фундаментального поглощения. На основе квазиклассической модели флуктуационных уровней проанализирован относительный вклад в нелинейное поглощение эффектов заполенения состояний, сужения запрещенной зоны и экранирования хвостов плотности состояний неравновесными носителями. Показано, что наблюдаемое в эксперименте просветление в основном обусловлено заполнением состояний фотовозбужденными носителями.

Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) гл. 12, с. 357
А.Л. Эфрос. УФН, 111, 451 (1973)
H.C. Casey, Jr., F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976)
W. Sritrakool, V. Sa-yakanit, H.R. Glyde. Phys. Rev. B, 32, 1090 (1985)
G.B. Lush, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, H.F. MacMillan, S. Asher. J. Appl. Phys., 74, 4694 (1993)
В.П. Грибковский. Теория испускания и поглощения света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1976) гл. 3, с. 245
С.А. Гуревич, А.Е. Федорович, Ф.В. Федоров. ФТП, 25, 769 (1991)
С.А. Быстримович, Р.Г. Запорожченко, В.Л. Малевич, Ф.В. Карпушко, Г.В. Синицын, И.А. Уткин. ФТП, 28, 1020 (1994)
S.W. Koch, S. Schmitt-Rink, H. Haug. Phys. St. Sol. (b), 106, 135 (1981)
E. Haga, H. Kimura. J. Phys. Soc. Japan, 19, 1596 (1964)
G.B. Lush, H.F. MacMillan, B.M. Keyes, D.H. Levi, M.R. Melloch, R.K. Ahrenkiel, M.S. Lundstrom. J. Appl. Phys., 72, 1436 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель