Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Подвижность и рассеяние электронов на полярных оптических фононах в гетероструктурных квантовых ямах

Пожела Ю.¹, Пожела К.¹, Юцене В.¹

¹Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва

Поступила в редакцию: 14 марта 2000 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

PDF версия

Анализируются основные закономерности рассеяния захваченных электронов на захваченных полярных оптических (ПО) фононах в квантовых ямах. Вычислена зависимость подвижности электронов в Al_0.25Ga_0.75As/GaAs/Al_0.25Ga_0.75As КЯ от ее ширины. Показано, что возрастания и спады подвижности электронов (относительно ее значения в объемном полупроводнике) в зависимости от ширины КЯ обусловлены межподзонным резонансным рассеянием. Вычислена зависимость подвижности электронов, обусловленной рассеянием на полярных оптических фононах, от концентрации электронов в КЯ, n_s. Показано, что в Al_0.25Ga_0.75As/GaAs/Al_0.25Ga_0.75As квантовых ямах наблюдается аномальный эффект уменьшения проводимости с ростом концентрации электронов n_s выше 10¹⁶ м^-2.

J. Pov zela, G. Butkus, V. Juciene. Semicond. Sci. Technol., 9, 1480 (1995)
J. Pov zela, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 35, 53 (1995)
R. Fuchs, K.L. Kliever. Phys. Rev. A, 140, A2076 (1965)
K. Huang, B. Zhu. Phys. Rev. B, 38, 13 377 (1998)
J. Menendez. J. Luminecs., 44, 285 (1989)
N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
H. Rucker, E. Molinary, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinary, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 39, 5282 (1989)
K.W. Kim, A.R. Bhatt, M.A. Stroscio, P.J. Turley, S.W. Teitsworth. J. Appl. Phys., 72, 2282 (1992)
H.B. Teng, J.P. Sun, G.I. Haddad, M.A. Stroscio, SeGi Yu, K.W. Kim. J. Appl. Phys., 84, 2155 (1998)
J. Pov zela, V. Juciene, K. Pov zela. Semicond. Sci. Technol., 10, 1555 (1995); 10, 1076 (1995)
J. Pov zela, V. Juciene, A. Namaj\=unas, K. Pov zela. Physica E, 5, 108 (1999)
X.F. Wang, I.C. da Cunha Lima, A. Troper, X.L. Lei. J. Appl. Phys., 85, 6598 (1999)
C.R. Bennet, M.A. Amato, N.A. Zakhleniuk, B.K. Ridley, M. Babiker. J. Appl. Phys., 83, 1499 (1998)
B.K. Ridley. Electrons and Phonons in Semiconductor Multilayers (Cambridge, Cambridge University Press, 1997)
T. Tsuchiya, T. Ando. Phys. Rev. B, 47, 7240 (1993); 48, 4599 (1993)
J. Pov zela, V. Juciene, A. Namaj\=unas, K. Pov zela. FTP, 31, 85 (1997)
X. Zianni, C.D. Simserides, G.P. Triberis. Phys. Rev. B, 55, 16 324 (1997)
C.R. McIntyre, T.L. Reinecke. Phys. Rev. B, 56, 13 428 (1997)
J. Pov zela, V. Juciene, A. Namaj\=unas, K. Pov zela. Phys. St. Sol. (b), 204, 238 (1997)
L.F. Register. Phys. Rev. B, 45, 8756 (1992)
J. Pov zela, V. Juciene, K. Pov zela. Lithuan. J. Phys., 35, 359 (1995); 36, 149 (1996)
J. Wang, J.-P. Leburton, J. Pov zela. J. Appl. Phys., 81, 3468 (1997)
J. Pov zela, A. Namaj\=unas, K. Pov zela, V. Juciene. FTP, 33, 1049 (1999)
J. Pov zela, K. Pov zela, A. Namaj\=unas, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 39, 55 (1999);
W. Xu, F.M. Peeters, J.T. Devreese. Phys. Rev. B, 48, 1562 (1993)
J. Pov zela, V. Juciene, A. Namaj\=unas, K. Pov zela. J. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)
J. Pov zela, V. Juciene, A. Namaj\=unas, K. Pov zela. In: The Physics of Semiconductors / Proc. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond., Berlin, July 21--26, 1996, ed. by M. Sheffler, R. Zimmermann (Singapore, World Scientific, 1996) vol. 3, p. 2391
J. Pov zela, V. Juciene, A. Namaj\=unas, K. Pov zela, V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, V.E. Kaminskii, A.V. Hook. J. Appl. Phys., 82, 5564 (1997)
F.H. Julien, A. Sa'ar, J. Wang, J.-P. Leburton. Electron. Lett., 31, 838 (1995)
P. Boucaud, F.H. Julien, D.D. Yang, J.M. Lourtioz, E. Rosencher, P. Bois, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 57, 3 (1990)
J. Faist, F. Capasso, D. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Science, 264, 553 (1994)
X.T. Zhu, H. Goronkin, G.N. Maracas, R. Droopad, M.A. Stroscio. Appl. Phys. Lett., 60, 2141 (1992)
V. Gantmacher, I.B. Levinson. Scattering of Charge Carriers in Metals and Semiconductors (Moscow, Nauka, 1984)
K. Inoue, T. Matsuno. Phys. Rev. B, 47, 3771 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель