Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Емкостными методами и методом электронного парамагнитного резонанса проведено исследование глубоких центров, образующихся в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ. В качестве образцов были исследованы диоды Шоттки и p-n-структуры на слоях, изготовленных как методом сублимационной эпитаксии, так и коммерчески выпускаемых CREE Inc (США). Обнаружено, что тип вводимых облучением центров не зависит от технологии изготовления материала и от вида заряженных частиц. На основе данных по отжигу дефектов и данных электронного парамагнитного резонанса сделаны предположения о возможной структуре образовавшихся центров.
- В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
- А.А. Лебедев, В.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП (в печати)
- J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
- N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 165 (1999)
- Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова, В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997)
- А.А. Лебедев, Н.А. Соболев. ФТП, 16, 1874 (1982)
- D.C. Look, J.P. Sizelove. J. Appl. Phys., 62, 3660 (1987)
- T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
- J.P. Doyle, M.O. Aboelfotoh, B.G. Svensson et al. Diamond and Rel. Mater., 6, 1388 (1977)
- W.C. Michel, A. Saxler, R. Perrin et al. Abstracts of International Conference on SiC and related Materials (Raleigh, NC, USA, Oct. 10--15, 1999) Abstact No 281
- C. Pool. Electron Spin Resonance (J. Wiley \& Sons, N.Y.--London, 1967). [Русск. пер.: Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии (М., Мир, 1970)]
- R.K. Nadela, M.A. Capano. Appl. Phys. Lett., 70, 886 (1997)
- W. Puff, P. Mascher, A.G. Balogh, H. Baumann. Mater. Sci. Forum, 258--263, 733 (1997)
- А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 15, 1557 (1981)
- Н.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
