Оптические свойства соединения Ca4Ga2S7 : Eu 2+
Тагиев Б.Г.1, Касумов У.Ф.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1, Абушов А.С.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 22 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
В результате оптических измерений в монокристалле Ca4Ga2S7 : Eu2+ определен характер оптических переходов в интервале энергий фотонов 1.85-3.00 эВ в области температур 77-300 K. Установлено, что в интервалах энергий 2.2-2.6 и 2.6-3.0 эВ имеют место непрямые и прямые оптические переходы с шириной запрещенной зоны соответственно Egi=1.889 эВ и Egd=2.455 эВ при 300 K. Температурные коэффициенты Egi и Egd равны -5.15· 10-4 и -14.86· 10-4 эВ/K.
- Б.Г. Тагиев, А.Н. Георгобиани, Р.Б. Джаббаров, У.Ф. Касумов, Н.Н. Мусаева. Новые технологии --- 21 век, N 2, 58 (1999)
- Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, У.Ф. Касумов. Неорг. матер., 36, 3 (2000)
- Seishi Iida, Tamao Matsumoto, N.T. Mamedov, Gyejong An, Yosuke Maruyama, A.I. Bairamov, B.G. Tagiev, R.B. Dzhabbarov. Japan. J. Appl. Phys., 36, pt. 2, L857 (1997)
- C. Jullien, M. Eddrief, K. Kambas, M. Balkanski. Thin. Sol. Films, 137, 27 (1986)
- E. Cuerrero, M. Quinterro, J.C. Wolley. J. Phys.: Condens. Matter, 2, 6119 (1990)
- A.M. Elkorashy. Phys. St. Sol. (b), 135, 707 (1986)
- S. Saha, U. Pal, A.K. Chaudhuri, V.V. Rao, H.D. Banerjee. Phys. St. Sol. (a), 114, 721 (1989)
- Арант, Шимизо, К. Кудо. Тр. IX межд. конф. по физике полупроводников (Л., Наука, 1969) с. 172
- Н.С. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.