Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диэлектрические свойства соединений Cd_1-xFe_xSe

Жуковский П.В.¹, Партыка Я.¹, Венгерэк П.¹, Шостак Ю.², Сидоренко Ю.², Родзик А.²

¹Люблинский технический университет, Люблин, Польша Lublin University of Technology, Lublin, Poland

²Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Поступила в редакцию: 29 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости полумагнитных полупроводников Cd_1-xFe_xSe (x=0.05,0.105,0.14). В области частот f<10 МГц при температурах T<400 K наблюдается термически активированный рост диэлектрической проницаемости, обусловленный прыжковым обменом зарядами. В области температур T>400 K доминирующим становится перенос по зонам, что приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости и исчезновению зависимости проводимости от частоты.

П.В. Жуковский, А. Родзик, Ю.А. Шостак. ФТП, 31, 714 (1997)
П.В. Жуковский, Я. Партыка, П. Венгерэк, Ю.В. Сидоренко, Ю.А. Шостак, А. Родзик. ФТП, 33, 270 (1999)
A. Ho da, A. Rodzik, A.A. Mielnikow, P.W. Zukowski. Phys. St. Sol. (b), 189, 543 (1995)
Полумагнитные полупроводники, под ред. Я. Фурдыны и Я. Косута (М., Мир, 1992)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Т. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
S.S. Kirkpatrick. Proc. 5th Int. Conf. on Amorphous and Liquid Semicond. (Garmish--Partenkirchen, 1973) p. 183
И.М. Лифшиц. ЖЭТФ, 53, 743 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель