Исследование структуры Al--Ge3N4--Ge методом фото-вольт-фарадных характеристик
Джанелидзе Р.Б.1, Джанелидзе М.Б.1, Кациашвили М.Р.1
1Институт кибернетики Академии наук Грузии, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 21 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Представлены результаты исследования границы раздела германий-нитрид германия (Ge-Ge3N4) методом вольт-фарадных характеристик при облучении структуры фотонами разной энергии. Примененная методика позволила определить уровни ловушек в нитриде германия, глубина залегания этих уровней составляет 0.75, 0.89 и 3.0 эВ. При исследовании токопрохождения через структуру Ge-Ge3N4 найдено два уровня в Ge3N4 с глубиной залегания 0.75 и 0.87 эВ.
- G.D. Bagratishvili, R.B. Dzhanelidze, N.I. Kurdiani et al. Thin Sol. Films, 56, 209 (1979)
- Takehisa Yashiro. Japan. J. Appl. Phys., 10, 1691 (1971)
- Г.Д. Багратишвили, Р.Б. Джанелидзе, Н.И. Курдиани, О.В. Саксаганский. Микроэлектроника, 2, 173 (1973)
- G.D. Bagratishvili, R.B. Dzhanelidze, D.A. Jishiashvili, V.M. Mikhelashvili, A.N. Zyuganov. Phys. St. Sol. (a), 65, 701 (1981)
- A.N. Zyuganov, P.S. Smertenko, E.P. Shulga. Poluprov. Tekhn. i Mikroelectronika, 29, 48 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук