Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Распределенные брэгговские зеркала на основе ZnMgSe/ZnCdSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках ZnSe
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
На подложке ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены распределенные брэгговские зеркала из 10.5 и 20 пар чередующихся четвертьволновых слоев ZnMgSe и ZnCdSe с максимумом отражения соответственно на длинах волн 530 и 560 нм, находящимся в области прозрачности подложки. Полученные структуры исследованы методами низкотемпературной катодолюминесценции, атомно-силовой и просвечивающей электронной микроскопии. Максимум коэффициента отражения составил 78% для 20- и 66% для 10.5-парного зеркала. Полученный результат объясняется на основании модели, учитывающей шероховатость межслоевых границ.
- C. Weisbuch. J. Cryst. Growth, 138, 776 (1994)
- T. Tawara, M. Arita, K. Uesugi, I. Suemune. J. Cryst. Growth, 184/185, 777 (1998)
- T. Tawara, I. Suemune, S. Tanaka. Proc. 9th Int. Conf. on II--VI Compounds (Kyoto, 1999), to be published in J. Cryst. Growth (2000)
- F.C. Peiris, S. Lee, U. Bindley, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 86, 719 (1999)
- T. Morita, H. Shinbo, T. Nagano, I. Nomura, A. Kikuchi, K. Kishino. J. Appl. Phys., 81, 7575 (1997)
- P. Uusimaa, A. Rinta-Moykky, S. Orsila, A. Salokatve, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 184/185, 783 (1998)
- N.G. Basov, E.M. Dianov, V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, A.S. Nasibov, Yu.M. Popov, A.M. Prokhorov, P.A. Trubenko, E.A. Shcherbakov. Laser Physics, 6, 608 (1996)
- Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 161, 51 (1996)
- А.Б. Крыса, В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, П.В. Шапкин, П.И. Кузнецов, Г.Г. Якушева. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 4, 16 (1999)
- F.C. Peiris, S. Lee, U. Bindley, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 86, 918 (1999)
- U. Lutz, J. Kuhn, F. Goschenhofer, U. Schussler, S. Einfeldt, C.R. Becker, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 80, 6861 (1996)
- B. Jobst, D. Hommel, U. Lutz, T. Gerhard, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 69, 97 (1996)
- Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение, AIIBVI. Справочник (М., Воениздат, 1982)
- P.J. Parbrook, B. Henderson, K.P. O'Donnell, P.J. Wright, B. Cockayne. J. Cryst. Growth, 117, 492 (1992)
- Y.H. Wang, K. Tai, Y.F. Hsieh, S.N.G. Chu, J.D. Wynn, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 57, 1613 (1990)
- J. Faist, J.-D. Ganiere, Ph. Buffat, S. Sampson, F.-K. Reinhart. J. Appl. Phys., 66, 1023 (1989)
- H.-E. Shin, Y.-G. Ju, H.-W. Song, D.-S. Song, I.-Y. Han, J.-H. Ser, H.-Y. Ryu, Y.-H. Lee. Appl. Phys. Lett., 72 (18), 2205 (1998)
- G. Lerondel, R. Romestain. Appl. Phys. Lett., 74, 2740 (1999)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)
- V.P. Gribkovskii, L.G. Zimin, S.V. Gaponenko, I.E. Malinovskii, P.I. Kuznetsov, G.G. Yakushcheva. Phys. St. Sol. (b), 158, 359 (1990)
- L. Samuel, Y. Brada, A. Burger, M. Roth. Phys. Rev. B, 36, 1168 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
