Вышедшие номера
Механизм обратного тока в диодах с барьером Шоттки Al/p-InP
Пипинис П.А.1, Римейка А.К.1, Лапейка В.А.1, Пипинене А.В.1
1Вильнюсский педагогический университет, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 10 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Измерены зависимости тока от напряжения обратного смещения и температуры диодов Шоттки Al/p-InP, изготовленных на эпитаксиальных слоях фосфида индия, легированного цинком. Обратный ток обладает явно выраженной температурной зависимостью с энергией активации 0.75 эВ в высокотемпературной области и 0.51 эВ при температурах <280 K. Результаты объясняются стимулированной фононами туннельной генерацией носителей заряда из поверхностных состояний полупроводника с учетом эмиссии посредством механизма Френкеля. Установлено, что в низкотемпературной области туннелирование осуществляется через центры с уровнями глубиной 0.51 эВ. Из сопоставления результатов опыта с теорией даны оценка напряженности поля в барьере - (5-13)· 107 В/м и поверхностная плотность заряда дырок в граничном слое полупроводника.