Квазистатические ионные токи в тонких диэлектрических пленках МДП (металл--диэлектрик--полупроводник) структур и распределение ионов в пленках
Дмитриев С.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Предложен метод расчета квазистатических вольт-амперных характеристик ионных токов в МДП структурах. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных пиков ионных токов на вольт-амперной характеристике. Рассматривается влияние полупроводника на вид вольт-амперной характеристики. Рассчитано распределение ионов в пленке; предложены формулы для определения фоновой концентрации ионов в пленке и их концентрации на границе раздела диэлектрик-полупроводник.
- Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, ФТП, 32, 1439 (1998)
- J.F. Verwey, E.A. Amerasekara, J. Bisschop. Rep. Prog. Phys., 53, 1297 (1990)
- G.F. Derbenwick. J. Appl. Phys., 48, 1127 (1977)
- C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- A.G. Tangena, J. Middelhoek, N.F. Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2976 (1978)
- V.P. Romanov, Yu.A. Chaplygin. Phys. St. Sol. (a), 53, 493 (1979)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 34 (8), 970 (2000)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) ч. 1
- А.Г. Дутов, В.А. Комар. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 1 (204), 52 (1990)
- К.Х. Зайнингер. В сб.: Полевые транзисторы. Физика, технология и применение (М., Сов. радио, 1971) с. 31
- S.R. Hofstein, G. Warfield. Sol. St. Electron., 8, 321 (1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук