Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннелирование через примесные состояния, связанные с X-долиной в тонком AlAs-барьере
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия 
2Research Institute for Materials, High Field Magnet Laboratory, University of Nijmegen, ED Nijmegen, The Netherlands
2Research Institute for Materials, High Field Magnet Laboratory, University of Nijmegen, ED Nijmegen, The Netherlands
Поступила в редакцию: 3 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
На вольт-амперных характеристиках однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs обнаружены особенности, соответствующие резонансному туннелированию электронов из Gamma-долины GaAs в X-долину AlAs. Зарегистрировано туннелирование как через состояния, относящиеся к двумерным подзонам Xxy и Xz в слое AlAs, так и через связанные с ним примесные состояния. Показано, что энергетическое положение таких примесных состояний определяется в основном двумя факторами: а) пространственным ограничением слоя AlAs, влияющим как на энергии уровней размерного квантования подзон Xxy и Xz, так и на величины энергий связи с ними примесных состояний; б) двуосным сжатием слоя AlAs вследствие несовпадения постоянных решеток AlAs и GaAs, приводящим к расщеплению долин Xxy и Xz. Это позволило впрямую определить энергию связи примесных состояний, которая составляет для Xz-долины ~ 50 мэВ, а для Xxy-долины ~ 70 мэВ.
- H.W. van Kesteren, E.C. Cosman, P. Dawson, K.J. Moore, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 39, 13 426 (1989)
- E.R. Glaser, T.A. Kennedy, B. Molnar. Phys. Rev. B, 43, 14 540 (1991)
- R. Teissier, J.J. Finley, M.S. Skolnick, J.W. Cockburn, J.-L. Pelouard, R. Grey, G. Hill, M.A. Pate, R. Planel. Phys. Rev. B, 54, 8329 (1996)
- J.J. Finley, R.J. Teissier, M.S. Skolnick, J.W. Cockburn, R. Grey, G. Hill, M.A. Pate. Phys. Rev. B, 54, 5251 (1996)
- Gerald Weber. Appl. Phys. Lett., 67 (10), 1447 (1995)
- M.W. Delow, P.H. Beton, C.J.M. Langerak, T.J. Foster, P.C. Main, L. Eaves, M. Henini, S.P. Beamont, C.D.W. Wilkinson. Phys. Rev. Lett., 18, 1754 (1992)
- J.W. Sakai, P.C. Main, P.H. Beton, L. Eaves, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 64, 2563 (1994)
- J.W. Sakai, T.M. Fromhold, P.H. Beton, L. Eaves, M. Henini, P.C. Main, F.W. Sheard, G. Hill. Phys. Rev. B, 48, 5664 (1993)
- Yu. Khanin, E. Vdovin, K. Novoselov, Yu. Dybrovskii, P. Omling, S.-B. Carlsson. 24th Int. Conf. Phys. Semicond. (Jerusalem, 1998)
- H. Fukuyama, T. Waho. Japan. J. Appl. Phys., 34, L342 (1995)
- I.E. Itskevich, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini, G. Hill. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond. (Berlin, 1996)
- Y. Carbonneau, J. Beerens, H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 62 (16), 1955 (1993)
- Ю.В. Дубровский, Ю.Н. Ханин, Т.Г. Андерсон, У. Генсер, Д.К. Мауд, Ж.-К. Портал. ЖЭТФ, 109, 868 (1996)
- T.G. Anderson, Yu.V. Dubrovskii, I.A. Larkin, S.V. Morozov, Yu.N. Khanin. Phys. Rev. B, 50, 4897 (1994)
- M. Tsuchiya, H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 30, 1164 (1991)
- I.P. Roche, G.P. Whittington, P.C. Main, L. Eaves, F.W. Sheard, G. Wunner, K.E. Singer. J. Phys.: Condens. Matter, 2, 4439 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
