Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование изменения химического состава поверхности образцов Cd_xHg_1-xTe при обработке в активированных высокочастотным разрядом газах N₂O и H₂

Васильев В.В.¹, Захарьяш Т.И.¹, Кеслер В.Г.¹, Парм И.О.¹, Соловьев А.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.

Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано изменение химического состава поверхности Cd_xHg_1-xTe при обработке атомарными пучками кислорода и водорода, полученными методом электронного удара в высокочастотной плазме N₂O и H₂. Показано, что последовательное воздействие пучков атомарного кислорода и водорода приводит к удалению с поверхности образцов углеродосодержащих соединений, слоя собственного оксида и теллура в элементном состоянии.

C.H. Lee, S.W. Paik, J.W. Park, Jaesun Lee, Y.M. Moon et al. J. Electron. Mater., 27 (6), 668 (1998)
Y. Nemirovsky, N. Amir, D. Goren. G. Asa, N. Mainzer, E. Weiss. J. Electron. Mater., 24, 1161 (1995)
V.M. Emerksuzyan, L.N. Romashko, G.Y. Saleeva, N.I. Zakharyash, N. Kh. Talipov, V.V. Vasilyev, V.N. Ovsyuk. Extended Abstracts of the 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials, Aug. 24--24, 1995 (Osaka, Japan) p. 1061
L.S. Hirsch, K.S. Ziemer, M.R. Richards-Babb, C.D. Stinespring, T.H. Myers. Thierry Colin. J. Electron. Mater., 27, 651 (1998)
K. Asakawa, S. Sugata. J. Vac. Sci. Technol., A4, 677 (1986)
И.И. Мараховка, И.О. Парм, Л.С. Ронжин, А.П. Соловьев. А.с. СССР N 1378767, МКИ Н05Н 1/00/; N 4038579/31--25

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель