Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование гетероструктур SiC/(SiC)1-x(AlN)x методом вольт-фарадных характеристик
1Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 31 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Методом измерения и анализа вольт-фарадных характеристик установлено, что в гетероструктурах n-6H-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x, полученных сублимационной эпитаксией слоев (SiC)1-x(AlN)x на подложках 6H-SiC, образуются резкие гетеропереходы толщиной ~10-4 см. Из вольт-фарадных характеристик определены основные свойства гетероструктур в зависимости от состава эпитаксиального слоя и температуры.
- А.П. Дмитриев, Н.В. Евлахов, А.С. Фурман. ФТП, 30 (1), 106 (1996)
- Г.К. Сафаралиев, М.К. Курбанов, Н.В. Офицерова, Ю.М. Таиров. Изв. РАН. Неорг. матер., N 6 (1995)
- Ш.А. Нурмагомедов, А.Н. Пихтин, В.Н. Резбегаев, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Письма ЖТФ, 12 (17), 1043 (1986)
- А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, К.И. Игнатьев. ФТП, 30 (10), 1865 (1996)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. ФТП, 22 (1), 133 (1987)
- Справочник по электротехническим материалам, под ред. Ю.В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева (Л., Энергоатомиздат, 1988) т. 3
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
- А.Н. Пихтин, Д.А. Яськов. ФТП, 12 (6), 1597 (1986)
- Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., 1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
