Вышедшие номера
Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит
Карпович И.А.1, Горшков А.П.1, Левичев С.Б.1, Морозов С.В.1, Звонков Б.Н.1, Филатов Д.О.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Фотовольтаический эффект в переходе полупроводник/электролит является эффективным методом изучения энергетического спектра гетероструктур с самоорганизованными квантовыми точками InAs/GaAs. Важным достоинством метода является высокая чувствительность, позволяющая получать фотоэлектрические спектры от квантовых точек с большими барьерами для эмиссии электронов и дырок из квантовых точек в матрицу и при низкой поверхностной плотности точек (~109 см-2). В сильном поперечном электрическом поле наблюдается уширение линий оптических переходов в квантовых точках и эмиссия электронов и дырок из квантовых точек в матрицу непосредственно из возбужденных состояний. Обнаружен эффект смены знака фотоэдс при достаточно большом положительном смещении на барьере в полупроводнике, связанный с образованием положительного заряда на границе покровного слоя и электролита и отрицательного заряда на примесях и дефектах в слое квантовых точек.