На многослойных структурах GaAs/AlGaAs p-типа, легированных Be с шириной квантовых ям 15 нм, исследованы эффект Холла и проводимость в интервале температур 1.7-300 K. С помощью легирования самой ямы и близкого к яме барьерного слоя была реализована ситуация, когда верхняя зона Хаббарда (A⁺-центры) была заполнена дырками и проводимость осуществлялась по ее состояниям. Проведенные эксперименты показали, что энергия связи A⁺-центров заметно возрастает в ямах размером 15 нм по сравнению с объемным случаем, что объясняется близостью размеров ямы и радиуса дырки в A⁺-центре. Указанный радиус был оценен независимым образом из анализа температурной зависимости прыжковой проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.