Вышедшие номера
Проявление верхней зоны Хаббарда в проводимости двумерных структур p-GaAs--AlGaAs
Агринская Н.В.1, Иванов Ю.Л.1, Устинов В.М.1, Полоскин Д.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

На многослойных структурах GaAs/AlGaAs p-типа, легированных Be с шириной квантовых ям 15 нм, исследованы эффект Холла и проводимость в интервале температур 1.7-300 K. С помощью легирования самой ямы и близкого к яме барьерного слоя была реализована ситуация, когда верхняя зона Хаббарда (A+-центры) была заполнена дырками и проводимость осуществлялась по ее состояниям. Проведенные эксперименты показали, что энергия связи A+-центров заметно возрастает в ямах размером 15 нм по сравнению с объемным случаем, что объясняется близостью размеров ямы и радиуса дырки в A+-центре. Указанный радиус был оценен независимым образом из анализа температурной зависимости прыжковой проводимости.