Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Состояния на границах и центры с глубокими уровнями в структурах кремний-на-изоляторе
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Методом емкостной спектроскопии проведено исследование глубоких уровней в отсеченном слое кремния, а также уровней ловушек - как на границе Si / SiO2, полученной прямым сращиванием, так и на границе Si(подложка) / <термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе, созданных методом сращивания пластин кремния и расслоения одной из пластин путем имплантации водорода. Показано, что граница Si / <термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет непрерывный спектр состояний ловушек, близкий к случаю классических МДП структур. Распределение состояний в верхней половине запрещенной зоны для сращенной границы Si / SiO2 характеризуется относительно узкой полосой состояний в пределах от Ec-0.17 эВ до Ec-0.36 эВ. Кроме того, в отсеченном слое кремния наблюдаются два центра с уровнями Ec-0.39 эВ и Ec-0.58 эВ, которые сосредоточены в приповерхностном слое толщиной до 0.21 мкм и предположительно связаны с остаточными постимплантационными дефектами.
- M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
- Y.A. Li, R.W. Bower. Japan. J. Appl. Phys., 39, 275 (2000)
- V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, E.P. Neustroev, A.K. Gutakovskii, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon-on-Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment et al. (Kluwer Academic Publisher, Netherlands, 2000) p. 47
- E.V. Astrova, V.A. Kozlov, A.A. Lebedev, V.B. Voronkov. Sol. St. Phenomena, 69, 70, 539 (1999)
- S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical characterization of silicon-on-insulator materials and device (Kluwer Academic Publishers, Boston / Dordrecht / London, 1995)
- И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. ФТП, 34, 1095 (2000)
- J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
- K. Nagai, T. Sekigawa, Y. Hayashi. Sol. St. Electron., 28, 789 (1985)
- T. Katsube, K. Kakimoto, T. Ikoma. J. Appl. Phys., 52, 3504 (1981)
- K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. a. Tech., 132, 2201 (1985)
- А.А. Лебедев, В. Экке. ФТП, 19, 1087 (1985)
- L.C. Kimerling. In: Point and Extended Defects in Semiconductors, ed. by G. Benedek, A. Cavallini, and W. Schroter. NATO ASI Series (N.Y., 1988) v. 202
- N.A. Yarykin, E.B. Yakimov, S.V. Koveshnikov, O.V. Feklisova. Papers Presented at Fifht Intern. Conf. on Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors (Moscow, Russia, 1986) p. 209
- И.В. Антонова, Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, С.С. Шаймеев. ФТП, 30, 2017 (1996)
- H.S. Kang, C.G. Ahn, B.K. Kang, Y.K. Kwon. J. Electrochem. Soc., 145, 3581 (1998)
- P.K. McLarty, J.W. Cole, K.F. Galloway, D.E. Ioannou. Appl. Phys. Lett., 51, 1078 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
