Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
Шенгуров В.Г.1, Светлов С.П.1, Чалков В.Ю.1, Максимов Г.А.1, Красильник З.Ф.2, Андреев Б.А.2, Степихова М.В.2, Шенгуров Д.В.2, Palmetshofer L.1, Ellmer H.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимирующего кремниевого источника. Для выращивания легированных эрбием кремниевых слоев мы использовали два вида источников примеси: 1) пластины кремния, легированного эрбием, как источник потоков атомов Er и Si; 2) пластины металлического эрбия в качестве источника паров примеси в сочетании с сублимирующим кремниевым источником. При использовании газообразного кислорода для солегирования эрбием и кислородом in situ достигнуты концентрации в области от 1018 до 1020 см-3. Когда в камере роста находится кислород, то эффективность захвата эрбия слоем существенно возрастает. При окислении подавляется и поверхностная сегрегация эрбия.
- Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
- Y. ho Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys., 70, 1153 (1991)
- A. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997)
- Y.L. Rogers, P.S. Andry, W.J. Varhue et al. J. Appl. Phys., 78, 6241 (1995)
- H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, J. Haude, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)
- H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman et al. Semicond. Sci. Technol., 8, 236 (1993)
- R. Serna, M. Lohmeier, P.M. Zagviin, E. Vlieg, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 66, 1385 (1995)
- K. Miyashita, Y. Shiraki, D.C. Houdhton, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 67, 235 (1995)
- J. Stimmer, A. Reittinger, G. Abstreiter, H. Holrbrecher, Ch. Buchal. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 15 (1995)
- А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильников, Ю.А. Карпов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Е.А. Ускова, В.Б. Шмагин, H. Ellmer, L. Palmetshofer, K. Pilplits, H. Hutter. ФТП, 33 (2), 156 (1999)
- D.J. Eaglsham, J. Michel, E.A. Fizgerald et al. Appl. Phys., 58, 2797 (1991)
- В.В. Постников, М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. ДАН СССР, 175, 817 (1967)
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, А.Ю. Андреев, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. Кристаллография, 31, 1180 (1986)
- В.Г. Шенгуров. Поверхность. Физика, химия, механика. 10--11, 44 (1994)
- В.Н. Кузнецов, В.В. Постников. Кристаллография, 19, 346 (1974)
- С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ, N 4, 141 (2000)
- U. Koing, E. Kasper, Y.J. Herzog. J. Cryst. Growth, 52, 151 (1981)
- J.J. Lander, J. Morrison. J. Appl. Phys., 33, 2098 (1962)
- К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)
- M. Matsuoka, S. Tohno. J. Appl. Phys., 76, 275 (1995)
- В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Е.А. Ускова, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова. Изв. РАН. Сер. физ., 64, 353 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
