Возбуждение поверхностных акустических волн в кристаллах p-CdTe при воздействии импульсным лазерным излучением
Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Кузнецов Э.И.1, Ломовцев А.В.1, Мозоль П.Е.1, Смирнов А.Б.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 13 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства, а также дислокационная структура кристаллов p-CdTe до и после облучения импульсным лазерным излучением. Обнаружено уменьшение величины темнового тока и рост плотности дислокаций не только в облученной, но и в защищенной от лазерного излучения частях кристалла. Изменение характеристик кристаллов объясняется влиянием поверхностной акустической волны, генерированной наносекундным лазерным излучением.
- А. Байдуллаева, А.И. Власенко, В.А. Гнатюк, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 23, 56 (1993)
- А. Байдуллаева, Б.М. Булах, Б.К. Даулетмуратов, Б.Р. Джумаев, Н.Е. Корсунская, П.Е. Мозоль, Г. Гарягдыев. ФТП, 26, 801 (1992)
- А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Ю.В. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 30, 1438 (1996)
- А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Б.Л. Горковенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль. ФТП, 34, 443 (2000)
- Б.М. Булах, С.М. Красикова. Известия АН СССР. Неорг. матер., 9, 1112 (1973)
- Б.Р. Джумаев, Г. Гарягдыев, И.Я. Городецкий, Н.Е. Корсунская. Тез. докл. Всес. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент, 1989) с. 126
- А.А. Карабутов. УФН, 47, 605 (1985)
- C.K.N. Patel, A.C. Tam. Rev. Mod. Phys., 53, 517 (1981)
- D. Schneider, R. Hammer, M. Jurish. Semicond. Sci. Technol., 14, 93 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук