Вышедшие номера
Аномальная поляризация комбинационного рассеяния на поперечных и продольных фононах в пористом легированном полупроводнике GaAs
Денисов В.Н.1, Маврин Б.Н.1, Караванский В.А.2
1Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Исследованы спектры комбинационного рассеяния (100)-ориентированного пористого легированного кристалла GaAs. Установлено, что излучение в спектрах плазмофононов как исходного, так и пористого кристаллов сильно поляризовано и не зависит от поляризации возбуждающего излучения. Сделан вывод о преимущественном фрелиховском вкладе в интенсивность спектра плазмофононов и об отсутствии влияния дефектов и многократного рассеяния на поляризацию рассеянного света в пористом GaAs. Обсуждается причина нарушения правил отбора в спектре пористого кристалла.