Влияние температуры на фотопроводимость и кинетику ее спада в микрокристаллическом кремнии
Казанский А.Г.1, Мелл Х.1, Теруков Е.И.1, Форш П.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Исследовано влияние температуры на стационарную фотопроводимость и релаксацию фотопроводимости после прекращения освещения в пленках слабо легированного бором микрокристаллического гидрированного кремния. Измерения проводились в области температур 150-430 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ. Из измерений стационарной фотопроводимости и ее релаксации получены температурные зависимости времени фотоответа и дрейфовой подвижности носителей в микрокристаллическом кремнии. Рассмотрены возможные механизмы переноса и рекомбинации носителей, определяющие изменение с температурой указанных параметров.
- K. Tanaka. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 452, 3 (1997)
- M.J. Williams, C. Wang, G. Lucovsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 389 (1991)
- D. Ruff, H. Mell, L. Toth, I. Sieber, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1011 (1998)
- D. Will, C. Lerner, W. Fuhs, K. Lips. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 467, 361 (1997)
- J.-H. Zhou, S.D. Baranovskii, Y. Yamasaki, K. Ikuta, M. Kondo, A. Matsuda, K. Tanaka. ФТП, 32, 905 (1998)
- J. Muller, F. Finger, R. Carius, H. Wagner. Phys. Rev. B, 60, 11 666 (1999)
- R. Fluckiger, J. Meier, M. Goetz, A. Shah. J. Appl. Phys., 77, 712 (1995)
- P. Torres, J. Meier, R. Fluckiger, J.A. Selvan, H. Keppner, A. Shah, S.D. Littlewood, I.E. Kelly, I. Giannoules. Appl. Phys. Lett., 69, 1373 (1996)
- А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. ФТП, 34, 373 (2000)
- J.H. Werner. In: Policrystalline Semiconductors. Springer Proceedings in Physics (Springer Verlag Berlin, Heidelberg, 1989) v. 35, p. 345
- T.D. Moustakas, W. Paul. Phys. Rev. B, 16, 1564 (1997)
- P. Kanschat, K. Lips, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 524 (2000)
- K.V. Kougia, I.S. Shlimak. In: Transport, Correlation and Structural Defects. Advances in Disordered Semiconductors, ed. by H. Fritzsche (Singapoure, World Scientific, 1990) v. 3, p. 213
- R. Carius, F. Finger, U. Backhausen, M. Luysberg, P. Hapke, L. Houben, M. Otte, H. Overhof. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 467, 283 (1997)
- F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 511 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.