Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль сольватации сульфид-иона при модификации электронной структуры поверхности GaAs

Лебедев М.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 апреля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

PDF версия

Предложена модель, в которой взаимодействие адсорбата (на примере сульфид-иона) с поверхностью GaAs рассматривается с учетом влияния сольватной оболочки. С помощью квантово-химических расчетов показано, что сольватация адсорбата молекулами различных растворителей приводит к изменению соотношения между его акцепторной и донорной реакционными способностями, что оказывает определяющее влияние на его взаимодействие с поверхностными состояниями и, как следствие, на модификацию электронной структуры поверхности полупроводника.

Y. Ishikawa, T. Fujui, H. Hasegawa. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1163 (1997)
C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
S.R. Lunt, G.N. Ryba, P.G. Santangelo, N.S. Lewis. J. Appl. Phys., 70, 7449 (1991)
Z.S. Li, W.Z. Cai, R.Z. Su, G.S. Dong, D.M. Huang, X.M. Ding, X.Y. Hou, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3425 (1994)
M.G. Nooney V. Liberman, R.M. Martin. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 1837 (1995)
L. Koenders, M. Blomacher, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1416 (1988)
B.J. Skromme, C.J. Sandroff, E. Yablonovich, T.J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 2022 (1987)
P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A.A. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, P. Bailey. Phys. Rev. B, 50, 14 237 (1994)
A.J. Howard, C.I.H. Ashby, J.A. Lott, R.P. Schneider, R.F. Corless. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1063 (1994)
G. Beister, J. Maege. D. Grutsche, G. Erbert, J. Sebestian, K. Volel, M. Weyers, J. Wurfl, O.P. Daga. Appl. Phys. Lett., 68, 2467 (1996)
T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B, 42, 11 194 (1990)
K.N. Ow, X.W. Wang. Phys. Rev. B, 54, 17 661 (1996)
G. Hirsch, P. Kruger, J. Pollmann. Surf. Sci., 402--404, 778 (1998)
J. Tomasi, M. Persico. Chem. Rev., 94, 2027 (1994)
V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, N.-M. Binh, M. Friedrich, D.R.T. Zahn. Semicond. Sci. Technol., 13, 611 (1998)
C. Huh, S.-W. Kim, H.-S. Kim, I.-H. Lee, S.-J. Park. J. Appl. Phys., 87, 4591 (2000)
В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев, D.R.T. Zahn. ФТТ, 41, 875 (1999)
V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, S. Hohenecker, D.R.T. Zahn. Phys. Low-Dim. Structur., N 9/10, 105 (1998)
V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Eng. B, 44, 380 (1997)
R. Hakimi, M.-C. Amann. Semicond. Sci. Technol., 12, 778 (1997)
R.G. Parr, W. Yang. Density Functional Theory of Atoms and Molecules (Oxford University Press, Oxford, 1989)
R.G. Pearson. J. Am. Chem. Soc., 85, 3533 (1963)
P.W. Ayers, R.G. Parr. J. Am. Chem. Soc., 122, 2010 (2000)
F. Mendez, J.L. Gazquez. J. Am. Chem. Soc., 116, 9298 (1994)
W. Yang, W. Mortier. J. Am. Chem. Soc., 108, 5708 (1986)
P. Piquini, A. Fazzio, A. Dal Pino, Jr. Surf. Sci., 313, 41 (1994)
M.J. Frisch, G.W. Trucks, H.B. Schlegel, P.M.W. Gill, B.G. Johnson, M.A. Robb, J.R. Cheeseman, T. Keith, G.A. Petersson, J.A. Montgomery, K. Raghavachari, M.A. Al-Laham, V.G. Zakrzewski, J.V. Ortiz. J.B. Foresman, J. Cioslowski, B.B. Stefanov, A. Nanayakkara, M. Challacombe, C.Y. Peng, P.Y. Ayala, W. Chen, M.W. Wong, J.L. Andres, E.S. Replogle, R. Gomperts, R.L. Martin, D.J. Fox, J.S. Binkley, D.J. Defrees, J. Baker, J.P. Stewart, M. Head-Gordon, C. Gonzalez, J.A. Pople. Gaussian 94, Revision D. 4 (Gaussian Inc., Pittsburgh PA, 1995)
A.D. Becke. J. Chem. Phys., 98, 5648 (1993)
C. Lee, W. Yang, R.G. Parr. Phys. Rev. B, 37, 785 (1988)
V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
Y. Simon-Manso, P. Fuentealba. J. Phys. Chem. A, 102, 2029 (1998)
M.V. Lebedev, M. Aono. J. Appl. Phys., 87, 289 (2000)
W. Yang, R.G. Parr. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 83, 8440 (1985).
H.-D. Barth, K. Buchhold, S. Djafari, B. Reimann, U. Lommatzsch, B. Brutschy. Chem. Phys., 49, 239 (1998)
O.M. Cabarcos, C.J. Weinheimer, T.J. Martinez, J.M. Lisy. J. Chem. Phys., 110, 9516 (1999)
S.-I. Koizumi, H. Yasumatsu, A. Terasaki, T. Kondow. J. Chem. Phys., 11, 6565 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель