Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе между квантовыми ямами с разной подвижностью
1Московский государственный институт электронной техники, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Численно исследован электронный транспорт в гетероструктуре с туннельно-связанными квантовыми ямами в условиях сильной неодномерности потенциала в структуре. Рассчитаны вольт-амперные характеристики, распределение потенциала, подвижность и концентрация электронов в квантовых ямах. Численный метод основан на двумерном согласованном расчете квантовых и классических областей гетероструктуры. Впервые показано, что в таких гетероструктурах возможен эффект, аналогичный эффекту Ганна в однородном полупроводнике. Эффект обусловлен туннельным переходом электронов между квантовыми ямами с разной подвижностью и характеризуется образованием домена сильного поля и участком с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике.
- H. Sakaki. Japan J. Appl. Phys., 21(6), L381 (1982)
- S. Kirchoefer, R. Magno, J. Comas. Appl. Phys. Lett., 44, 1054 (1984)
- J.M. Pond, S. Kirchoefer, E.J. Gukauskas. Appl. Phys. Lett., 47, 1175 (1985)
- B. Vinter, A.Tardela. Appl. Phys. Lett., 50, 410 (1987)
- A.A. Gorbatsevich, V.V. Kapaev, Yu.V. Kopaev, V.Ya. Kremlev. Phys. Low-Dim. Structur., 4/5, 57 (1994)
- A. Palevski, F. Beltram, F. Capasso, L. Pfeiffer, K. West. Phys. Rev. Lett., 65, 1929 (1990)
- Y. Ohno, M. Tsuchiya, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 62, 1952 (1993)
- P. I. Biryulin, S.P. Grishechkina, A.S. Ignatiev, Yu.V. Kopaev, S.S. Shmelev, V.T. Trofimov, N.A. Volchkov. Semicond. Sci. Technol., 12 (4), 427 (1997)
- В.Л. Борблик, З.С. Грибников, Б.П. Маркевич. ФТП, 25, 1302 (1991)
- V.I. Belyavsky, Yu.V. Kopaev, Yu.A. Pomerantsev, Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 1 (1997)
- Ф.Т. Васько, О.Э. Райчев. ЖЭТФ, 107, 951 (1995)
- P. Owen, M. Pepper. Semicond. Sci. Technol., 8 (10), 123 (1993)
- P. Owen, M. Pepper. Appl. Phys. Lett., 62, 1274 (1993)
- P.I. Biryulin, Yu.V. Kopaev, V.T. Trofimov, N.A. Volchkov. Semicond. Sci. Technol., 14 (8), 699 (1999)
- H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue. Appl. Phys. Lett., 51, 1934 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
