Вышедшие номера
Отжиг глубоких центров бора в карбиде кремния
Балландович В.С.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Исследовано влияние отжига на эффективность высокотемпературной люминесценции в образцах 6H-SiC, выращенных в различных условиях и легированных бором. Часть образцов была подвергнута радиационному облучению. Показано, что эффективность высокотемпературной люминесценции определяется содержанием в образцах глубоких центров бора, выявляемых емкостной спектроскопией как D-центры. Высокотемпературная обработка приводит к распаду D-центров, являющихся комплексами BSi-VC, при этом часть атомов бора переходит в электрически неактивное состояние. Установлено, что глубокие центры бора термически стабильны до ~ 1500oC. Сохранение этих центров до более высоких температур (вплоть до 2600oC) обусловлено присутствием в кристаллах SiC кластеров, являющихся источниками неравновесных углеродных вакансий. Подобные кластеры содержат кристаллы, выращенные в избытке кремния или облученные высокоэнергетическими частицами. Этим объясняется существенная зависимость как концентрации D-центров, так и температуры их отжига от условий приготовления образца.