Концентрационная зависимость краевой фотолюминесценции полуизолирующего нелегированного GaAs
Коваленко В.Ф.1, Литвинова М.Б.1, Шутов С.В.1
1Инcтитут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 2 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
Изучены зависимости спектрального положения максимума полосы краевой фотолюминесценции, ее полуширины, удельного сопротивления, подвижности носителей заряда в кристаллах полуизолирующего нелегированного GaAs от концентрации углерода NC при 77 K (3.0· 1015=<q N C=<q 4.3· 1016 см-3). Наблюдаемые зависимости объяснены характером взаимодействия носителей заряда с ионизированными атомами примесей и со структурными дефектами.
- К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 24, 66 (1992)
- M. Suemitsu, M. Nishijima, N. Miyamoto. J. Appl. Phys., 69, 7240(1991)
- M.W. Duncan, G.H. Westphal, A.J. Purdes. J. Appl. Phys., 66, 2430 (1989)
- Ю.Н. Большева, М.А. Ильин, А.В. Марков. Высокочистые вещества, N 4, 210 (1989)
- М.И. Калинин, М.Т. Лисица, Ф.В. Моцный. УФЖ, 37 (3), 330 (1992)
- М.И. Калинин, М.Т. Лисица, Ф.В. Моцный. УФЖ, 37 (4), 528 (1992)
- К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрельчук. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 32, 61 (1997)
- В.С. Багаев, Л.И. Падучих, Т.С. Сахоненко. Экситоны в полупроводниках. (М., Наука, 1971) с. 54
- А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133 (3), 427 (1981)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- E. Grilli, M. Grilli, R. Zambani, L. Paussi. Phys. Rev. B, 45, 1638 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук