Исследовано взаимодействие радиационных дефектов с атомами фосфора в кристаллах кремния в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и точечных дефектов при облучении электронами и отжигах. Показано, что при облучении кремния дозовые зависимости изменения концентрации фосфора в узлах (P_s) выходят на участки насыщения. При этом уровень насыщения определяется температурой облучения. Стадии восстановления концентрации P_s при отжигах коррелируют с температурными интервалами диссоциации вакансионных комплексов. Полученные результаты подтверждают наличие двух процессов: 1) взаимодействие атомов легирующей примеси с собственными межузельными атомами кремния и появление межузельных комплексов, т. е. радиационно-стимулированный распад пересыщенного раствора примеси при генерации точечных дефектов и ионизации; 2) растворение межузельной примеси в вакансиях при достаточно высоких температурах, или аннигиляция освобождающихся при отжиге вакансий с межузельными атомами, входящими в состав сложных дефектных комплексов с участием атомов фосфора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.