Обобщенный характер диэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава
Клименко И.А.1, Мигаль В.П.1
1Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 23 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Установлено, что особенности фотодиэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава, обусловлены ансамблями макроскопических ростовых дефектов. Показано, что анализ диаграмм varepsilon*(lambda) и varepsilon*(X), характеризующих зависимости комплексной диэлектрической проницаемости от длины волны и координаты, как графических образов последовательностей индуцированных состояний кристалла, позволяет идентифицировать ансамбли макроскопических ростовых дефектов - источников внутренних полей.
- V. Komar, A. Gektin, D. Nalivaiko, I. Klimenko, V. Migal, O. Panchuk, A. Rybka. Nucl. Instr. Meth. A, 458, 113 (2001)
- И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. ФТП, 35 (2), 139 (2001)
- И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. ФТП, 35 (4), 403 (2001)
- I.A. Klimenko, V.P. Migal. Functional materials, 8 (2), 395 (2001)
- В.П. Мигаль, ФТП, 35 (10), 1188 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
