Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование низкотемпературной диффузии мышьяка из сильно легированного слоя кремния

Александров О.В.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 июня 2001 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе дуального парного механизма проведено моделирование низкотемпературной (500-800^oC) диффузии мышьяка из сильно легированного слоя кремния. Аномально высокая скорость диффузии связывается с избыточными собственными межузельными атомами, запасенными в слое во время предшествующей высокотемпературной стадии диффузии. Смещение концентрированного профиля в области средних концентраций обусловлено наличием максимума на концентрационной зависимости коэффициента диффузии и связано со значительной долей составляющей диффузии мышьяка посредством отрицательно заряженных собственных межузельных атомов (f_I^-~ 0.4).

S.M. Hu. In: Atomic diffusion in semiconductors, ed. by D. Shaw (London--N.Y., Plenum Press, 1973). [Пер. Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)] ch. 5
H. Shibayama, H. Masaki, H. Hashimoto. Appl. Phys. Lett., 27, 230 (1975)
H. Shibayama, H. Masaki, H. Ishikawa, H. Hashimoto. J. Electrochem. Soc., 123, 742 (1976)
Н.Г. Вевюрко, Г.И. Юсупова. Электрон. техн., сер. 2, вып. 1 (136), 63 (1980)
M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
О.В. Александров. ФТП, 35 (11), 1289 (2001)
Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб, Наука, 1999) гл. 5
S. Solmi, D. Nobili. J. Appl. Phys., 83, 2484 (1998)
K. Tsukamoto, Y. Akasaka, K. Kijima. Japan. J. appl. Phys., 19, 87 (1980)
A. Ural, P.B. Griffin, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 85, 6440 (1999)
W. Frank. Inst. Phys. Conf. Ser., 23, 23 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель