Вышедшие номера
Фотоэлектрическое C-V-профилирование концентрации основных и эффективного времен жизни неосновных носителей заряда в геттерированных пластинах GaAs
Андриевский В.Ф.1, Гореленок А.Т.2, Загорельская Н.А.1, Каманин А.В.2, Шмидт Н.М.2
1Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Белоруссия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Приведена методика фотоэлектрохимического C-V-профилирования концентрации основных и эффективного времен жизни неосновных носителей заряда в высокоомных толстых (1.6 мм) пластинах GaAs после их геттерирования как односторонним, так и двухсторонним покрытием пленкой иттрия и последующей термообработкой при температурах 700 и 800oC. Показано, что распределения концентрации Nd-Na и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда по толщине пластин достаточно однородны в обоих случаях. Данная методика позволяет измерять концентрацию носителей до 1012 см-3.