Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрическое C-V-профилирование концентрации основных и эффективного времен жизни неосновных носителей заряда в геттерированных пластинах GaAs

Андриевский В.Ф.¹, Гореленок А.Т.², Загорельская Н.А.¹, Каманин А.В.², Шмидт Н.М.²

¹Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Белоруссия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 21 августа 2001 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведена методика фотоэлектрохимического C-V-профилирования концентрации основных и эффективного времен жизни неосновных носителей заряда в высокоомных толстых (1.6 мм) пластинах GaAs после их геттерирования как односторонним, так и двухсторонним покрытием пленкой иттрия и последующей термообработкой при температурах 700 и 800^oC. Показано, что распределения концентрации N_d-N_a и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда по толщине пластин достаточно однородны в обоих случаях. Данная методика позволяет измерять концентрацию носителей до 10¹² см^-3.

L.J. van der Pauw. Philips Techn. Rev., 20, 220 (1958/59)
C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
T. Ambridge, M.M. Factor. Electron. Lett., 10, 204 (1974)
A.V. Markov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, V.K. Eremin, E.M. Verbitskaya, V.N. Gavrin, Y.P. Kozlova, Y.P. Veretenkin, T.J. Bowles. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 439, 651 (2000)
N. Shmidt, A. Gorelenok, V. Emtsev, A. Kamanin, A. Markov, M. Mezdrogina, D. Poloskin, L. Vlasenko. Sol. St. Phenomena, 69--70, 279 (1999)
J. Reichman. Appl. Phys. Lett., 36, 574 (1980)
В.Ф. Андриевский. Теория, методы и средства измерений и контроля параметров магнитных, полупроводниковых и диэлектрических материалов (Новочеркасск, 2000) ч. 4, с. 24
В.Ф. Андриевский, Е.В. Якименко, О.К. Муравицкий. А. с. 1611075 СССР, G 01 NL 27/22. Заявлено 23.03.89; Опубл. 1.08.90. (Бюл. изобретат., 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель