Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов
Богданова В.А.1, Давлеткильдеев Н.А.1, Семиколенова Н.А.1, Сидоров Е.Н.1
1Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Приведены результаты исследования спектров краевой фотолюминесценции при 300 K серии монокристаллов арсенида галлия, выращенных методом Чохральского, легированного теллуром с концентрацией свободных носителей заряда в диапазоне n0=1017-1019 см-3. На основе анализa контура спектров фотолюминесценции получены концентрационные зависимости химического потенциала и величины сужения запрещенной зоны. Рассчитана зависимость эффективной массы электронов на дне зоны проводимости от их концентрации m0*(n0). Показано, что немонотонная зависимость m0*(n0) согласуется с данными по рассеянию электронов в исследуемом материале и обусловлена упорядочением примесных комплексов.
- Н.М. Богатов, А.Л. Петров, Э.Н. Хабаров. ФТП, 16, 353 (1982)
- В.А. Богданова, Н.А. Семиколенова. ФТП, 26, 818 (1992)
- V.V. Prudnikov, I.A. Prudnikova, N.A. Semikolenova. Phys. St. Sol. (b), 181, 87 (1994)
- V.A. Bogdanova, N.A. Semikolenova, A.S. Semikolenov. Phys. St. Sol. (a), 120, K121 (1990)
- V.A. Bogdanova, V.I. Dubovik, V.V. Prudnikov, N.A. Semikolenova. Ext. Abstracts of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Osaka, Japan, 1995) p. 1057
- H.C. Casey, Jr. Stern, F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976)
- D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980)
- J. De-Sheng, Y. Machita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 53, 999 (1982)
- G. Borhgs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, R. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989)
- T. Lideiskis, G. Treideris. Semicond. Sci. Technol., 4, 938 (1989)
- S.I. Kim, M.S. Kim, S.K. Min, C. Lee. J. Appl. Phys., 74, 6128 (1993)
- N.-Y. Lee, K.Y. Lee, C. Lee, J.-E. Kim, H.Y. Park, D.-H. Kwak, H.-C. Lee, H. Lim. J. Appl. Phys., 78, 3367 (1995)
- G.C. Jiang, Y. Chang, L.-B. Chang, Y.-D. Juang, S. Lu. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 42 (1995)
- В.А. Вилькоцкий, Д.С. Доманевский, С.В. Жоховец, М.В. Прокопеня. ФТП, 18, 2193 (1984)
- D.M. Szmyd, P. Porro, A. Majerfeld, S. Lagomarsino. J. Appl. Phys., 68, 2367 (1990)
- H.B. Bebb, E.W. Williams. Semiconductors and Semimetals (N. Y., Academic Press, 1972) p. 276
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (London, World Scientific, 1996) v. 1, p. 79
- S.C. Jain, D.J. Roulston. Sol. St. Electron., 34, 453 (1991)
- R.A. Abram, G.N. Childs, P.A. Saunderson. J. Phys. c, 17, 6105 (1984)
- B.E. Sernelius. Phys. Rev. B, 33, 8582 (1986)
- H.S. Bennett. J. Appl. Phys., 60, 2866 (1986)
- P. Van Mieghem. Rev. Mod. Phys., 64, 755 (1992)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 325
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- P.A. Wolff. Phys. Rev., 126, 405 (1962)
- A. Glodeanu. Rev. Roum. Phys., 26, 945 (1981)
- Е.А. Балагурова, Ю.Б. Греков, А.Ф. Кравченко, И.А. Прудникова, В.В. Прудников, Н.А. Семиколенова. ФТП, 19, 1566 (1985)
- Н.А. Семиколенова. ФТП, 22, 137 (1988).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук