Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение матричного элемента оператора квазиимпульса в бесщелевом полупроводнике HgSe методом эффекта поля в электролите

Шевченко О.Ю.¹, Раданцев В.Ф.², Яфясов А.М.¹, Божевольнов В.Б.¹, Иванкив И.М.¹, Перепелкин А.Д.¹

¹Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
²Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия

Поступила в редакцию: 30 мая 2001 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

PDF версия

Методом эффекта поля в электролите (измерялись вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики) исследована система бесщелевой полупроводник HgSe-электролит (насыщенный раствор KCl). Предложен метод оценки величины матричного элемента оператора квазиимпульса P из ВФХ и найдено его значение при T=295 K для HgSe.

P. Tribolet, J.P. Chatard, P. Costa, A. Manissadjian. J. Cryst. Growth, 184--185, 1262 (1998)
G. Nimtz, J.X. Huang, J. Lange, L. Mester, H. Spieker. Semicond. Sci. Technol., 6, C130 (1991)
K.-U. Gawlik, L. Kipp, M. Skibowski, N. Orlowski, R. Manzke. Phys. Rev. Lett., 78, 3165 (1997)
M. von Truchsess, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr, E. Batke. Phys. Rev. B, 61, 1666 (2000)
D. Eich, D. Huebner, R. Fink, E. Umbach, K. Ortner, C.K. Becker, G. Landwehr, A. Fleszar. Phys. Rev. B, 61, 12 666 (2000)
Таблицы физических величин. Справочник, под ред. И.К. Кикоина (М., Энергоиздат, 1991)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников (М., Наука, 1978)
Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
И.И. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Справочные таблицы (М., Воениздат, 1982)
I. Stolpe, O. Portugall, N. Puhlmann, H.-U. Mueller, M. von Ortenberg, M. Von Truchsess, C.R. Becker, A. Pfeuffer-Jeschke, G. Landwehr. Physica B, 294--295, 459 (2001)
В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
А.М. Яфясов, А.Д. Перепелкин, В.Б. Божевольнов. ФТП, 26, 636 (1992)
А.М. Яфясов, В.Б. Божевольнов, А.Д. Перепелкин. ФТП, 21, 1144 (1987)
А.М. Яфясов, В.В. Монахов, О.В. Романов. Вестн. ЛГУ. Сер. 4, 1, 104 (1986)
В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов. Вестн. ЛГУ. Сер. 4, 1, 18 (1989)
В.Ф. Раданцев. Письма в ЖЭТФ, 46, 157 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель