Вышедшие номера
Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах
Гергель В.А.1, Кулькова Е.Ю.1, Мокеров В.Г.1, Тимофеев М.В.1, Хренов Г.Ю.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

С помощью развитой квазигидродинамической модели субмикронного полевого транзистора исследовано влияние эффекта всплеска дрейфовой скорости на характер насыщения тока стока. Показано, что в субмикронных транзисторных структурах на основе многодолинных полупроводников насыщение тока стока определяется насыщением скорости дрейфа электронов в канале, обусловленным эффективным междолинным рассеянием. Показано также, что максимальная скорость дрейфа электронов в канале обратно пропорциональна длине затвора транзистора.