Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах
Гергель В.А.1, Кулькова Е.Ю.1, Мокеров В.Г.1, Тимофеев М.В.1, Хренов Г.Ю.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
С помощью развитой квазигидродинамической модели субмикронного полевого транзистора исследовано влияние эффекта всплеска дрейфовой скорости на характер насыщения тока стока. Показано, что в субмикронных транзисторных структурах на основе многодолинных полупроводников насыщение тока стока определяется насыщением скорости дрейфа электронов в канале, обусловленным эффективным междолинным рассеянием. Показано также, что максимальная скорость дрейфа электронов в канале обратно пропорциональна длине затвора транзистора.
- M. Feng, C.L. Lau, V. Eu. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 40 (1991)
- Н.А. Баннов, Г.Ю. Хренов. Тр. ФТИАН СССР, 1, 11 (1989)
- T. Enoki, S. Sugitani, Y. Yamane. IEEE Trans. Electron. Dev., 37, 935 (1990)
- В.А. Гергель, В.Г. Мокеров, М.В. Тимофеев, Ю.В. Федоров. ФТП, 34, 239 (2000)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) с. 467
- W. Fawcett, D.A. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
- В.А. Николаева, В.Д. Пищалко, В.И. Рыжий, Г.Ю. Хренов, Б.Н. Четверушкин. Микроэлектроника, 17, 504 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук