Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Долговременные изменения электрических и фотоэлектрических характеристик диодных структур Pd--p-InP
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур Pd-p-InP после многолетней выдержки на воздухе. Выявлено увеличение высоты барьера Шоттки на 0.2-0.3 эВ и рост фоточувствительности. Механизм токопереноса определяется генерационно-рекомбинационным током и туннелированием через уровни 0.28 и 0.40 эВ. Предполагается, что эти примесные центры находятся в приповерхностном слое p-InP у гетерограницы с Pd.
- M.М. Мередов, Г.Г. Ковалевская, Е.В. Руссу, С.В. Слободчиков. ФТП, 26 (9), 1590 (1992)
- Г.Г. Ковалевская, Л. Кратена, М.М. Мередов, А.М. Маринова, С.В. Слободчиков. Письма ЖТФ, 15 (12), 55 (1989)
- Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков, В.М. Фетисова. ФТП, 26 (19), 1750 (1992)
- E. Hokelek, G.J. Robinson. Appl. Phys. Lett., 40, 426 (1982)
- N. Tabatabaie, G.E. Stillman. Appl. Phys. Lett., 40 (5), 415 (1982)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963) гл. 6, с. 192
- З.С. Грибников. РЭ, 10(6), 1110 (1965)
- И.П. Жадько, В.В. Романов. ФТП, 12 (9), 1789 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
