Вышедшие номера
Инверсия электронной населенности подзон размерного квантования при продольном транспорте в туннельно-связанных квантовых ямах
Алешкин В.Я.1, Дубинов А.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Предложена схема лазера, способного генерировать излучение в дальнем инфракрасном диапазоне (lambda~ 150 мкм). Для создания инверсии населенностей подзон предлагается использовать электронный транспорт в трех туннельно-связанных квантовых ямах в сильном электрическом поле, лежащем в плоскости квантовых ям. Важной особенностью предлагаемой структуры является присутствие одной шероховатой гетерограницы. Проведенное моделирование электронного транспорта методом Монте-Карло в гетероструктуре AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.2,0.3) показало, что в поле свыше 1.2 кВ/см при T=4.2 и 77 K реализуется инверсная заселенность первой и второй подзон размерного квантования.