О механизмах рассеяния дырок в кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te при низких температурах
Богобоящий В.В.1
1Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
Поступила в редакцию: 19 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Исследовано удельное сопротивление и эффект Холла в легированных медью кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te в интервале температур 4.2-100 K и концентраций Cu от 1.5· 1015 до 1.7· 1018 см-3. Показано, что для корректного определения холловской подвижности дырок при низких температурах необходимо исключить вклад прыжкового переноса заряда. Найдено, что при 77 K тяжелые дырки рассеиваются друг на друге, на ионах примеси, флуктуациях состава и колебаниях решетки. При низких температурах в компенсированных кристаллах дырки рассеиваются исключительно на ионах примеси. В некомпенсированных кристаллах при расчете подвижности необходимо учитывать рассеяние дырок на положительно заряженных центрах, образованных в результате захвата избыточных дырок акцепторами.
- M.A. Berding, S. Krishnamurthy, A. Sher. A.-B. Chen. J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (5), 3014 (1987)
- J.R. Mayer, F.J. Bartoli, C.A. Hoffman. J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (5), 3035 (1987)
- И.М. Цидильковский, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках (Свердловск, УНЦ АН СССР, 1987)
- Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводинках (М., Мир, 1986)
- В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафеев, В.Н. Северцев. ФТП, 21, 1469 (1987)
- В.А. Базакуца, В.И. Белозерцева, В.В. Богобоящий и др. В сб.: Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках (Павлодар, 1987) с. 148
- Н.Н. Берченко, В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров и др. В сб.: Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках (Павлодар, 1987) с. 129
- V.V. Bogoboyashchyy. Semicond. Physics, Quantum \& Optoelectronics, 2 (1), 62 (1999)
- V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
- А.И. Елизаров. Завод. лаб., вып. 10, 82 (1981)
- C.T. Elliot, I. Melngailis, T.C. Harman. J. Phys. Chem. Soc., 33 (2), 1527 (1972)
- N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1 (1), 1 (1968)
- А.В. Ведяев, А.Б. Грановский. ФТТ, 28 (8), 2310 (1986)
- H. Bottger, V.V. Bryksin. Phys. St. Sol. (b), 113 (1), 9 (1982)
- Ф. Дж. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах (Л., Физматгиз, 1963)
- И.М. Дыкман, П.М. Томчук. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
- О. Маделунг. Теория твердого тела (М., Наука, 1980)
- И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос, И.Я. Янчев. ФТП, 11 (12), 257 (1977)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- А.В. Любченко, Е.Ф. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984)
- L.S. Kim, S. Perkowicz, O.K. Wu, J.N. Schulman. Semicond. Sci. Technol., 5 (3S), S107 (1990)
- Ю.Х. Векилов, А.П. Русаков. ФТТ, 13 (4), 1157 (1971)
- V.V. Bogoboyashchyy. Semicond. Physics, Quantum \& Optoelectronics, 4 (4), 442 (2001)
- H.R. Vydyanath. Sol. St. Sci. Technol., 128 (12), 2609 (1981)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- В.В. Богобоящий. ФТП, 36 (1), 29 (2002)
- D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 52 (8), 5118 (1981)
- D.L. Polla, M.B. Reine, C.E.J. Jones. Appl. Phys., 52 (8), 5132 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
