Вышедшие номера
Исследование глубоких электронных состояний в текстурированных поликристаллах p-CdTe стехиометрического состава методом DLTS
Боброва Е.А.1, Клевков Ю.В.1, Медведев С.А.1, Плотников А.Ф.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Определен набор глубоких электронных состояний в текстурированном поликристалле p-CdTe состава, близкого к стехиометрическому, методом емкостной спектроскопии (DLTS). Наблюдались четыре дырочные и две электронные ловушки. Показано, что наиболее глубокая дырочная ловушка с уровнем Ev+0.86 эВ является преобладающим дефектом в данном материале. Особенности формы линии в спектре DLTS и логарифмическая зависимость заселенности этого уровня от длительности заполняющего импульса соответствуют протяженному дефекту, обусловленному, наиболее вероятно, дислокациями на границах зерен.