Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Глубокий уровень, образующийся в слоях GaN при облучении протонами

Соболев М.М.¹, Соболев Н.А.¹, Усиков А.С.¹, Шмидт Н.М.¹, Якименко А.Н.², Гусинский Г.М.¹, Найденов В.О.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 16 апреля 2002 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом емкостной спектроскопии исследованы параметры глубоких уровней в эпитаксиальных слоях n-GaN после облучения барьеров Шоттки протонами с энергией 1 МэВ и дозой 10¹² см^-2. Наблюдалось введение глубокого уровня EP1 в верхней половине запрещенной зоны с энергией активации 0.085 эВ. Образование этого дефекта зависит от напряжения смещения, приложенного к барьеру Шоттки во время облучения.

S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 2000)
H. Markoc. Springer. Ser. Mater. Sci., 32 (1999)
M. Lambsdorrff, J. Kohl, J. Rosenzweig, A.A. Armann, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 58, 1881 (1991)
V.M. Rao, W.-P. Hong, C. Caneau, G.-K. Chang, N. Papanicolaou, H.B. Dietrich. J. Appl. Phys., 70, 3943 (1991)
F.D. Auret, S.A. Goodman, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 74, 407 (1999)
Z.-Q. Fang, J.W. Hemsky, D.C. Look, M.P. Mack. Appl. Phys. Lett., 72, 448 (1998)
D.V. Davydov, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, N.M. Schmidt, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Mater. Sci. Forum, 353-- 356, 799 (2001)
F.D. Auret, S.A. Goodman, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 73, 3745 (1998)
D. Ponse, G.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель