Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN/InGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 21 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены тройные гетероструктуры GaAs/GaAsN/InGaAs на подложках GaAs и исследованы их оптические свойства. Сопоставление спектров фотолюминесценции, измеренных экспериментально, с известными значениями параметров зонной диаграммы соединений (In, Ga)As, позволило оценить взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN и InGaAs/GaAsN. Показано, что гетеропереход GaAs/GaAsN является гетеропереходом I рода, а гетеропереход InxGa1-xAs/GaAsN может быть переходом I или II рода в зависимости от x.
- S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jap. J. Appl. Phys., 32, 4413 (1993)
- A. Lindsay, E.P. O'Reilly. Sol. St. Commun., 112, 443 (1999)
- L. Bellaiche, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 54, 17 568 (1996)
- G. Ji, D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
- А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong, C. Tu. ФТП, 9 (36), 1056 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
